【设备转售】光刻机

本周，有多台光刻机转售！如有意向，欢迎致电 4006-979-616 咨询洽谈！

一、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-1755i7A

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：0.5μm

露光光源：i Line Lamp

缩小倍率：1:5

最大露光范围：22x22

重合精度：EGA ≦0.11μm以内

二、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-2205i12D

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 350 nm

NA：0.63

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

缩小倍率：1:5

最大露光范围：22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle),20.0 × 20.4 mm (5-inchreticle)

重合精度：≦ 55 nm

三、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-2205i14E2

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 350 nm

NA：0.63

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

缩小倍率：1:5

最大露光范围：22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm

重合精度：≦ 40 nm

四、产品名称：Canon 光刻机

品牌：Canon

所在地：上海

产品型号：FPA-3000 i4

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：0.4um

露光光源：ⅠLⅰne Lamp

缩小倍率：1：5

最大露光范围：22x22

重合精度：ＥＧＡ  ０．１１μｍ以内

产能Throughput：55wph

五、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-S203B

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 180 nm

NA：0.68

露光光源：KrF excimer laser (248 nm wavelength)

缩小倍率：1:4

最大露光范围：25 × 33 mm

重合精度：≦ 40 nm

六、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-S204B

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 150 nm

NA：0.68

露光光源：KrF excimer laser (248 nm wavelength)

缩小倍率：1:4

最大露光范围：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

七、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-SF120

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 280 nm

NA：0.62

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

缩小倍率：1:4

最大露光范围：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

八、产品名称：Nikon 光刻机

品牌：Nikon

所在地：上海

产品型号：NSR-SF130

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域

解像度：≦ 280 nm

NA：0.62

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

缩小倍率：1:4

最大露光范围：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

九、产品名称：Canon 光刻机

品牌：Canon

所在地：上海

产品型号：FPA-5000 ES3

适用行业：化合物半导体、MSMS、LED等领域